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更多>>石英晶振電路中CO和C1指的是什么?
來源:http://www.sxhsx88.com 作者:康華爾電子 2019年04月26
我們常常在石英晶體諧振器或晶體振蕩器的電路圖中,可以看到CO和C1這兩個,專業的工程師一看就明白CO是靜態并聯電容,C1是動態容量,那么這個靜態和動態到底是什么意思呢?別急,康華爾電子接下來就為大家解釋解釋。
靜態并聯電容C0:
靜態并聯電容C0是在石英振蕩器的端子處可直接測量的電容。它是電極電容CE,通過石英晶體振蕩器外殼內的保持和雜散電容CH增加。電極電容CE由通常電鍍在諧振器表面兩側的激勵電極形成。這些電極的距離是諧振器的厚度d,其由厚度剪切振蕩器中的諧振頻率fr給出。從平板電容器的電容方程式如下:

g=0.886A10-14F/mm;g=4.7;A=電極面積(mm2)

E=電極直徑(mm);f=晶振諧振頻率(kHz);n=泛音容量CH應設定為約0.8pf。通過外殼容量CH,可以創建一個新的擴展等效電路(圖2.53)。兩個雜散電容CHA和CHB由電極和殼體之間的電容以及電流饋通的電容形成。在測量靜態電容C0時應考慮這一事實,特別是在使用單端連接測量電容C0然后確定動態電容C1時(第2章)。晶振外殼容量CH=CHa+CHb的大小也取決于外部電路,因為在極端情況下,兩個雜散電容中的一個可能在低電阻終端和接地外殼處短路。

圖2.52電極表面

圖2.53Sreuka容量CH
動態容量C1:
動態電容C1由彈性常數sjj和壓電常數dij決定。然而,與限制于石英晶體的振蕩部分的靜電電容,電極區域A,厚度d,諧振器的表面曲率形成對比。

和泛音的順序n(圖2.52).Co給出了容量比r:

表面曲率(透鏡石英)Kr的校正因子大約在1和2.5之間。對于基音Kr=1的平面并聯諧振器,Ka容量比r約為200...220,泛音r約為n2倍。彈性常數sjj和壓電常數dij的材料典型值在SMD晶振石英中是方向依賴的。這導致不同石英部分的不同的典型替換數據。壓電常數的方向依賴性還導致替換數據的值略微不同,作為電極的端子凸耳相對于Z軸的方向的函數。
其實晶振電路圖上每一個字母或數字,都有特殊的含義,雖然我們研究晶體很多年,但至今仍沒有解開晶體所有的秘密,這種帶有壓電效應和電極的結晶體,仍保留著神秘的面紗。通過探索和開發,國內外的晶體制造商設計出許多不同的諧振器和有源晶振,為人們所用,進而改變社會和生活。
靜態并聯電容C0:
靜態并聯電容C0是在石英振蕩器的端子處可直接測量的電容。它是電極電容CE,通過石英晶體振蕩器外殼內的保持和雜散電容CH增加。電極電容CE由通常電鍍在諧振器表面兩側的激勵電極形成。這些電極的距離是諧振器的厚度d,其由厚度剪切振蕩器中的諧振頻率fr給出。從平板電容器的電容方程式如下:

g=0.886A10-14F/mm;g=4.7;A=電極面積(mm2)

E=電極直徑(mm);f=晶振諧振頻率(kHz);n=泛音容量CH應設定為約0.8pf。通過外殼容量CH,可以創建一個新的擴展等效電路(圖2.53)。兩個雜散電容CHA和CHB由電極和殼體之間的電容以及電流饋通的電容形成。在測量靜態電容C0時應考慮這一事實,特別是在使用單端連接測量電容C0然后確定動態電容C1時(第2章)。晶振外殼容量CH=CHa+CHb的大小也取決于外部電路,因為在極端情況下,兩個雜散電容中的一個可能在低電阻終端和接地外殼處短路。

圖2.52電極表面

圖2.53Sreuka容量CH
動態容量C1:
動態電容C1由彈性常數sjj和壓電常數dij決定。然而,與限制于石英晶體的振蕩部分的靜電電容,電極區域A,厚度d,諧振器的表面曲率形成對比。

和泛音的順序n(圖2.52).Co給出了容量比r:

表面曲率(透鏡石英)Kr的校正因子大約在1和2.5之間。對于基音Kr=1的平面并聯諧振器,Ka容量比r約為200...220,泛音r約為n2倍。彈性常數sjj和壓電常數dij的材料典型值在SMD晶振石英中是方向依賴的。這導致不同石英部分的不同的典型替換數據。壓電常數的方向依賴性還導致替換數據的值略微不同,作為電極的端子凸耳相對于Z軸的方向的函數。
其實晶振電路圖上每一個字母或數字,都有特殊的含義,雖然我們研究晶體很多年,但至今仍沒有解開晶體所有的秘密,這種帶有壓電效應和電極的結晶體,仍保留著神秘的面紗。通過探索和開發,國內外的晶體制造商設計出許多不同的諧振器和有源晶振,為人們所用,進而改變社會和生活。
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