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晶振官方博客
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SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,有源晶振."SG-310SCF 25.0000MB3",小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

EPSON項目 | 符號 | 規格說明 | 條件 | |||||
SG-310 SEF | SG-310 SDF | SG-310 SCF | SG-310 SDN | SG-310 SCN | ||||
輸出 頻率范圍 |
f0 | 2.000MHz ~ 48.000MHz | 3.000MHz ~ 80.000MHz | |||||
電源電壓 | VCC |
1.8V Typ. 1.6V ~ 2.2V |
2.5V Typ. 2.2V ~ 3.0V |
3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V |
2.5V Typ. 2.2V ~ 2.7V |
3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V |
||
儲存溫度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | |||||
工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C | ||||||
頻率穩定度 | f_tol | B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | |||||
L: ±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | |||||||
- |
D:±20 × 10-6 , S:±25 × 10-6 |
-20°C ~ +70°C | ||||||
- | R:±25 × 10-6 | -30°C ~ +85°C | ||||||
- | P:±20 × 10-6 | -30°C ~ +85°C | ||||||
- | J:±25 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||||
功耗 | ICC | 1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 4.0mA Max. | 5.0mA Max. |
無負載條件, 2MHz ≤ f0 ≤ 4MHz |
|
1.5mA Max. | 1.5mA Max. | 2.0mA Max. |
無負載條件, 4MHz < f0 ≤ 8MHz |
|||||
1.5mA Max. | 2.0mA Max. | 2.5mA Max. |
無負載條件, 8MHz < f0 ≤ 16MHz |
|||||
2.0mA Max. | 2.0mA Max. | 2.5mA Max. |
無負載條件, 16MHz < f0 ≤ 25MHz |
|||||
2.0mA Max. | 2.5mA Max. | 3.5mA Max. |
無負載條件, 25MHz < f0 ≤ 33MHz |
|||||
3.0mA Max. | 3.5mA Max. | 4.5mA Max. |
無負載條件, 33MHz < f0 ≤ 48MHz |
|||||
- | 6.0mA Max. | 7.0mA Max. |
無負載條件, 48MHz < f0 ≤ 80MHz |
|||||
待機電流 | I_std |
0.7μA Max. (0.2μA Typ.) |
1.5μA Max. (0.5μA Typ.) |
2.0μA Max. (1.0μA Typ.) |
10µA Max. | ST=GND | ||
占空比 | SYM | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz |
50% VCC極 L_CMOS ≤ 15pF |
|
40% ~ 60% | 16MHz < f0 ≤ 40MHz | |||||||
40% ~ 60% | 40MHz < f0 ≤ 80MHz | |||||||
輸出電壓 | VOH | 90% VCC Min. | IOH=-3mA | |||||
VOL | 10% VCC Max. | IOL=3mA | ||||||
輸出 負載條件 (CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. | ||||||
輸入電壓 | VIH | 80% VCC Min. | 70% VCC Min. | ST終端 | ||||
VIL | 20% VCC Max. | 30% VCC Max. | ||||||
上升/ 下降時間 |
tr / tf | 4ns Max. |
20% VCC ~ 80% VCC極, L_CMOS=15pF |
|||||
振蕩啟動 時間 |
t_str | 10ms Max. | 2ms Max. | 在90% VCC 時,所需時間為0秒 | ||||
頻率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | ±3 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年, VCC=1.8V, 2.5V, 3.3V |
||||
- | ±10 × 10-6 Max. | +25°C,10年 |
"SG-310SCF 25.0000MB3", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區域, 同時在硅原子上方產生感應負電場區域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產生感應負電場,硅原子上方產生感應正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態. 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態, 祇要由電場持續給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.

我們將持續關注企業社會責任各項新議題,使本公司更加完整并落實企業社會責任所有面向.
對內,我們將透過各種教育訓練與活動,用心創造一個多元且充滿活力的工作環境 (例如健康促進活動);
對外,本公司透過與利害相關團體間的溝通,積極落實企業社會責任活動,持續投入社會公益,降低對社會環境之沖擊.

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